Nexperia新推出的LFPAK56 MOSFET改善了爬電距離與電氣間隙， 并且符合UL2595標(biāo)準(zhǔn)
六月 05, 2018奈梅亨 -- 業(yè)界唯一與Power-SO8占用空間兼容且符合新電池供電設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的器件
全球分立器件、邏輯器件和MOSFET器件領(lǐng)導(dǎo)者Nexperia今日宣布MOSFET的LFPAK56封裝系列中的兩款器件目前已可投入使用，其經(jīng)改善的爬電距離與電氣間隙滿足額定電壓在15V到32V之間的電池供電設(shè)備的UL2595要求。器件與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的Power-SO8占用空間100%兼容，尚無其他緊湊型表面貼裝器件能滿足要求源極端頭和漏極端頭之間最小爬電距離與電氣間隙為1.5mm的UL2595標(biāo)準(zhǔn)。
與使用引線接合法構(gòu)造的一些競爭Power-SO8類型不同，Nexperia的LFPAK56封裝采用一次性焊接至芯片表面的銅夾構(gòu)造而成。這降低了擴展電阻，賦予LFPAK56出色的電氣和熱特性并提高了可靠性。采用增強型SOT1023A封裝的新款PSMN0R9-30ULD和PSMN1R0-40ULD N溝道MOSFET的爬電距離為1.5mm，電氣間隙為1.55mm。PSMN0R9-30ULD器件的額定電壓為30V， 電阻為0.87mΩ，電流為300A，PSMN1R0-40ULD的額定電壓為40V，電阻為1.1 mΩ，電流為280 A。
國際產(chǎn)品營銷經(jīng)理Eric Su評論道：“UL2595是一個很有可能被其他國際監(jiān)管機構(gòu)采用的重要美國標(biāo)準(zhǔn)。此外，設(shè)備制造商寧愿設(shè)計一款符合最嚴格標(biāo)準(zhǔn)的全球產(chǎn)品，也不愿針對不同地理位置設(shè)計不同版本的產(chǎn)品。因此，設(shè)計人員必須意識到常規(guī)的Power-SO8器件無法滿足UL2595標(biāo)準(zhǔn)要求，但有兼容且方便替換的器件可供選擇。”
PSMN0R9-30ULD和PSMN0R9-40ULD MOSFET是NexperiaNextPowerS3系列器件的一部分，具有低RDS(on)、最大電流和牢固安全工作區(qū)(SOA)的優(yōu)點，是由電池供電的電機控制應(yīng)用的理想選擇。
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Nexperia（原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部）是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商，公司于2017年初開始獨立運營。Nexperia注重效率，生產(chǎn)穩(wěn)定可靠的半導(dǎo)體器件，年產(chǎn)量高達850億件。我們廣泛的產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的嚴苛標(biāo)準(zhǔn)。Nexperia工廠生產(chǎn)的微型封裝業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，不僅具有較高的功率與熱效率，還提供同類最佳的品質(zhì)。
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