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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

理想二極管

使用理想二極管將浪費(fèi)的功耗降低10倍

理想二極管是由柵極調(diào)節(jié)放大器、功率MOSFET、保護(hù)電路、控制邏輯和診斷功能組成的集成電路。它們旨在模仿肖特基二極管的導(dǎo)通和阻斷功能,同時(shí)顯著降低正向壓降、內(nèi)部功耗和反向直流漏電流。

主要特性與優(yōu)勢(shì)

  • 適用于電源 OR-ing 應(yīng)用的肖特基二極管的低功耗升級(jí) 
  • 自動(dòng)切換 OR-ing 電源,確保負(fù)載供電的連續(xù)性
  • 正向壓降減小10倍,提升下游負(fù)載的電壓裕度
  • 反向偏置直流漏電流降低至原來(lái)的 1/100
  • 反向電壓保護(hù),防止敏感負(fù)載因極性反接受到破壞
  • 額定溫度范圍:-40℃至+125℃

關(guān)鍵應(yīng)用

樓宇自動(dòng)化
智能電表
OR-ed主電源和備用電池
汽車遠(yuǎn)程信息處理單元
物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的電池反向保護(hù)

產(chǎn)品

型號(hào) 描述 狀態(tài) 快速訪問(wèn)
NID5100 1.2 V to 5.5 V, 1.5 A input polarity protected, low quiescent current ideal diode ACT
NID5100GW 1.2 V to 5.5 V, 1.5 A input polarity protected, low quiescent current ideal diode Production
NID5100-Q100 1.2 V to 5.5 V, 1.5 A input polarity protected, low quiescent current ideal diode ACT
NID5100GW-Q100 1.2 V to 5.5 V, 1.5 A input polarity protected, low quiescent current ideal diode Production
NID1100GV 1.5 V to 5.5 V, 1.5 A input polarity protected, low quiescent current ideal diode Production
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Data sheet (2)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
NID5100_Q100.pdf 1.2 V to 5.5 V, 1.5 A input polarity protected, low quiescent current ideal diode Data sheet 2024-07-26
NID5100.pdf 1.2 V to 5.5 V, 1.5 A input polarity protected, low quiescent current ideal diode Data sheet 2024-07-26

Leaflet (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
nexperia_leaflet_ideal-diode.pdf NID5100 Ideal Diode Leaflet 2024-08-09

Marcom graphics (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
SOT363-2_NID5100_mk.png plastic thin shrink small outline package; 6 leads; body width 1.25 mm Marcom graphics 2024-07-20

Test circuit (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
aaa-042075.svg NID1100 Test circuit 2025-01-17

User manual (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
UM90040.pdf NID5100, 1.2 V to 5.5 V, 1.5 A input polarity protected, low quiescent current ideal diode evaluation board User manual 2024-07-25

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交叉參考

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