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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

ADI EVAL-LTC4287 54 V、72 A熱插拔

ADI LTC4287高功率正熱插拔控制器帶有功率監(jiān)控器,是其新款全功能評估板的核心器件。該評估板采用54 V、72 A熱插拔設(shè)計進行預填充和測試,能夠與5 mF輸出電容器配合使用。此外還包含兩個Nexperia具備增強型SOA的100 V、2.3 mOhm、LFPAK88封裝PSMN2R3-100SSE熱插拔ASFET,以此增強其功率和性能表現(xiàn)。

主要特性與優(yōu)勢

  • 需要采用具備強勁的線性模式性能和增強安全工作區(qū)(SOA)的MOSFET來高效可靠地管理浪涌電流
  • PSMN2R3-100SSE采用高可靠性銅夾片LFPAK88封裝,提供超低RDS(on)和增強安全工作區(qū)性能
  • ASFET為高電流應(yīng)用改進了并聯(lián)性能 
  • Nexperia不斷拓展其專用于熱插拔和軟啟動且符合IPC9592標準的產(chǎn)品,提供了更多的80 V和100 V ASFET選擇,特別適用于打造高可靠性的電信和計算應(yīng)用

板上的產(chǎn)品 (1)

Type number Description Status Quick access
PSMN2R3-100SSE N-channel 100 V, 2.3 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK88 Production

板上的產(chǎn)品 (1)

Type number Description Status Quick access
PSMN2R3-100SSE N-channel 100 V, 2.3 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK88 Production

文檔 (2)

文件名稱 標題 類型 日期
AN50006 Power MOSFETs in linear mode Application note 2022-04-12
AN90016 Maximum continuous currents in NEXPERIA LFPAK power MOSFETs Application note 2020-09-03

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