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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

WLCSP6_3-2

WLCSP6_3-2

wafer level chip-size package; 6 bumps (3 x 2)

外形圖

封裝版本 封裝名稱 封裝說明 參考 發(fā)行日期
WLCSP6_3-2 WLCSP6 wafer level chip-size package; 6 bumps (3 x 2) 2017-04-13

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文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
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nexperia_document_leaflet_WLCSP_201803 Small-signal MOSFETs in WLCSP - Smallest size - lowest RDS(on) Leaflet 2018-04-25
nexperia_document_leaflet_WLCSP_201803_CHN WLCSP Chinese Translation Leaflet 2018-04-25
WLCSP6_3-2 wafer level chip-size package; 6 bumps (3 x 2) Package information 2022-07-13

采用此封裝的產(chǎn)品

MOSFETs

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    型號 描述 快速訪問
    PMCM6501UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET