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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

WLCSP6_SOT8090

WLCSP6_SOT8090

WLCSP6: wafer level chip-size package; 6 bumps

外形圖

封裝版本 封裝名稱 封裝說明 參考 發(fā)行日期
WLCSP6_SOT8090 WLCSP6 WLCSP6: wafer level chip-size package; 6 bumps 2025-01-08

相關(guān)文檔

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
WLCSP6_SOT8090 WLCSP6: wafer level chip-size package; 6 bumps Package information 2025-01-16
WLCSP6_SOT8090_341 WLCSP6; Reel dry pack for SMD, 7"; Q2/T3 product orientation Packing information 2024-03-28

采用此封裝的產(chǎn)品

GaN FETs

型號 描述 快速訪問
GANE7R0-100CBA 100 V, 7.0 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.5 mm x 1.5 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)
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