国产精品白丝啪啪91-国产精品亚洲精品日韩已满-极品少妇露出大乳高潮-欧美日韩大陆精品视频

雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

Nexperia、初のSiC MOSFETにより、産業(yè)用アプリケーションにおけるパワースイッチングの安全性、堅(jiān)牢性、信頼性を向上

Nexperia、初のSiC MOSFETにより、産業(yè)用アプリケーションにおけるパワースイッチングの安全性、堅(jiān)牢性、信頼性を向上

十一月 30, 2023

Nijmegen -- 業(yè)界をリードする性能を備えた1200Vのディスクリート製品で
世界のエネルギー転換を加速

Nexperiaは初のシリコン?カーバイド(SiC)MOSFETとして3ピンTO-247に封止されたRDS(on)が40mΩと80mΩの2種類の1200Vディスクリート製品を発表しました。Nexperiaはシリーズ第一弾としてNSF040120L3A0とNSF080120L3A0を発売し、その後もSiC MOSFETポートフォリオを急速に拡充し、さまざまなRDS(on)値の製品をスルーホールならびに表面実裝パッケージにてご用意する予定です。

今回発表した製品は電気自動車(EV)用充電ステーション、無停電電源裝置(UPS)、太陽光発電/エネルギー貯蔵システム(ESS)用インバータなどの産業(yè)用アプリケーションにおいて、高性能SiC MOSFETの供給の増加を求める市場の聲に対応するものです。

Nexperiaのシニアディレクター 兼 SiC製品グループ擔(dān)當(dāng)責(zé)任者のKatrin Feurleは「今回発表した第1弾製品にはワイドバンドギャップ製品のサプライヤの増加が待たれていた市場に真のイノベーションをお屆けしたいというNexperiaと三菱電機(jī)の意図が込められています」と述べ、さらに「Nexperiaは優(yōu)れたRDS(on)の溫度安定性、ボディ?ダイオードの低電圧降下、厳格なしきい値電圧仕様、非常にバランスのとれたゲート電荷比など、寄生ターンオンに対する安全性を高めるさまざまなパラメータにおいて非常に優(yōu)れた性能を持つSiC MOSFETデバイスを提供可能です。三菱電機(jī)とのパートナーシップの下、最高品質(zhì)のSiC MOSFETを製造するというNexperiaのコミットメントはまだ始まったばかりです。両社は今後もSiCデバイスの性能を著実に向上させていきます」と語りました。

 

三菱電機(jī)半導(dǎo)體?デバイス事業(yè)本部のパワーデバイス製作所長の巖上徹氏は「Nexperiaとのパートナーシップの第一弾として、この新しいSiC MOSFETを発表できることを嬉しく思います」と述べ、さらに

「三菱電機(jī)はSiCパワー半導(dǎo)體で卓越したノウハウを蓄積しており、他社にはない優(yōu)れたバランスの特性を持つ製品を提供しています」と語りました。

RDS(on)は導(dǎo)通損に影響するため、SiC MOSFETにおいて重要な性能パラメータとされています。

NexperiaではRDS(on)が現(xiàn)在市販されている多くのSiCデバイスの性能の制約要因であると考え、革新的なプロセス技術(shù)を使用して+25℃~+175℃の動作溫度範(fàn)囲でRDS(on)公稱値の増加がわずか38%という、業(yè)界でもトップクラスの溫度安定性を持つ新しいSiC MOSFETを開発しました。その點(diǎn)が現(xiàn)在市販されている多くのSiCデバイスに対する差別化要因となります。

NexperiaのSiC MOSFETは全ゲート電荷量(QG)も非常に低く、ゲート?ドライブ損失を低減するという優(yōu)位點(diǎn)もあります。さらに、Nexperiaではゲート電荷のバランスをとることで、QGSに対するQGDの比率が極めて低くしており、寄生ターンオンに対するデバイスの耐性を高めています。

SiC MOSFETの正の溫度係數(shù)に加えて、NexperiaのSiC MOSFETはデバイス間のしきい値電圧VGS(th)の分散が非常に小さく、デバイスを並列動作させた場合の靜的條件と動的條件で非常にバランスのとれた通電性能を発揮します。さらに、ボディ?ダイオードの順方向電圧(VSD)が低いため、デバイスの堅(jiān)牢性と効率を高める一方で、非同期整流とフリーホイール動作のデッドタイム要件が緩和されます。

 

これらのディスクリートSiC MOSFETをサポートするSPICEモデルと熱シミュレーション?モデルは現(xiàn)在ダウンロード可能です。Nexperiaでは今後、車載グレードのMOSFETの発売も予定しています。

NSF040120L3A0とNSF080120L3A0の量産は開始済みです。SiC MOSFETの全製品のサンプルについては、Nexperiaの営業(yè)擔(dān)當(dāng)者にお問い合わせください。

NexperiaのSiC MOSFETについて、詳細(xì)は以下のサイトをご覧ください。

https://www.nexperia.com/sic-mosfets

Nexperiaについて

オランダに本社を置くNexperiaはヨーロッパの豊かな歴史を持ち、歐州、アジア、米國で15,000人以上の従業(yè)員を擁するグローバル半導(dǎo)體企業(yè)です。Nexperiaは必要不可欠な半導(dǎo)體の開発?製造におけるエキスパートとして、自動車、産業(yè)からモバイル、コンシューマ向けアプリケーションまで、世界のほぼすべての電子機(jī)器の基本機(jī)能を?qū)g現(xiàn)する部品を提供しています。世界のお客様に向けてサービスを提供しており、製品の年間出荷臺數(shù)は1,000億以上に及びます。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費(fèi)電力、性能における効率性のベンチマークとして高い評価を得ています。Nexperiaは革新性、効率性、持続可能性、厳しい業(yè)界要件への対応に注力しており、そのことは充実したIPポートフォリオ、製品ラインナップの拡充、IATF16949、ISO9001、ISO14001、ISO45001規(guī)格への準(zhǔn)拠に現(xiàn)れています。

Nexperia: Efficiency wins.

プレスリリースに関するお問い合わせ先

株式會社ピー?ディ?エスインターナショナル
〒102-0083 東京都千代田區(qū)麹町3-2-6 麹町本多ビル2A
Tel: 03-3288-7264 Fax: 03-3288-6936
Email: nexperia_pr@pds-international.com
※在宅勤務(wù)を?qū)g施中のため、お問い合わせはメールあるいは
PDS鈴木 (090-5579-4897) までお願いいたします。
 

日韩欧美亚洲国产每日更新| 国产女主播视频一区二区| 丰满老熟女性生活视频| 骑乘少妇喷水高潮69av| 国产区一区二区三在线播放| a级a做爰片一区二区一区| 日韩av有码在线播放| 国产系列在线播放一区二区三区| 中字亚洲国产精品一区二区| 久久一区二区免费蜜桃| 国产成人亚洲欧美激情| 精品国产一区二区日韩| 国产精品三级玖玖玖电影| 日本精品久久久久久一区二区三区 | 午夜日本一区二区福利视频| 一区二区三区在线日本在线视频 | 国庆av一区二区久久| 91精品大片免费在线观看| 亚洲视频视频一区二区三区| 国产精品国产三级国产专播| 在线免费成人亚洲av| 午夜大片在线播放观看| 男女视频在一区观看免费| 国产一区二区三区免费观看不卡 | 蜜桃视频在线视频免费观看| 成人看片在线中文字幕| 亚洲一区成人在线视频| 日韩另类视频在线观看| 日本不卡一区高清二区| 亚洲精品国产老熟女久久| 99久久婷婷国产综合| 日本少妇激情后入嗯啊| 欧美日韩国产在线人成| 99热在线免费观看精品| 亚洲日本中文字幕乱码| 精品人妻码一区二区三区| 干出白浆视频在线观看| 日本三区三级岛国片在线观看| 上海老熟女啪啪露脸高潮| 亚洲精品尤物在线观看| 国产日韩精品视频一区|