Nexperia， 分立器件、邏輯器件和MOSFET器件全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布采用Trench 11技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有史上最低RDS(on)的NextPower S3 MOSFET，該項(xiàng)突破并不影響其他重要參數(shù)，例如漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)域(SOA)或柵極電荷QG。

很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)，例如ORing、熱插拔操作、同步整流、電機(jī)控制與電池保護(hù)等，以便降低I²R損耗并提高效率。然而，具備類(lèi)似RDS(on)值的一些同類(lèi)器件，由于縮小晶圓單元間隔，其SOA（評(píng)估MOSFET的耐受性）和ID(max))額定電流需要降額。Nexperia的PSMNR58-30YLH MOSFET的最大RDS(on)僅0.67 m?，最大額定漏極電流提升至380A。該參數(shù)對(duì)電機(jī)控制應(yīng)用尤為重要，因?yàn)殡姍C(jī)堵轉(zhuǎn)的瞬間會(huì)產(chǎn)生超大電涌，MOSFET必須可以承受這些電涌，才能確保安全可靠運(yùn)行。一些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手僅提供計(jì)算出的ID(max)，但Nexperia產(chǎn)品實(shí)測(cè)持續(xù)電流能力高達(dá)380A，并且100%最終生產(chǎn)測(cè)試的持續(xù)電流值高達(dá)190A。

該器件支持LFPAK56 (Power-SO8)和LFPAK33 (Power33)封裝，二者均采用獨(dú)特的銅夾結(jié)構(gòu)，可吸收熱應(yīng)力，提升質(zhì)量和可靠性。PSMNR58-30YLH采用LFPAK56封裝，這是Nexperia的4引腳Power-SO8封裝，安裝尺寸僅30 mm2，間距1.27 mm。

Nexperia的Power MOSFET產(chǎn)品經(jīng)理Steven Waterhouse表示：“Nexperia結(jié)合其獨(dú)有的NextPowerS3超結(jié)技術(shù)與LFPAK 封裝，提供了具有低RDS(on)、高ID(max)額定電流的MOSFET，同時(shí)不影響其SOA等級(jí)、質(zhì)量和可靠性。這使新器件充分滿足要求高性能、高可靠性和高容錯(cuò)性的應(yīng)用需求。”其中包括無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)控制（全橋式三相拓?fù)洌?、ORing服務(wù)器電源、熱插拔操作和同步整流、電池保護(hù)、手機(jī)快速充電和直流負(fù)荷開(kāi)關(guān)。

如需有關(guān)新款低RDS(on) MOSFET的更多信息（包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)手冊(cè)），請(qǐng)?jiān)L問(wèn)https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/seeking-the-perfect-power-switch.html

關(guān)于Nexperia

Nexperia（原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部）是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專(zhuān)業(yè)制造商。公司于2017年初開(kāi)始獨(dú)立運(yùn)營(yíng)。Nexperia注重效率，生產(chǎn)穩(wěn)定可靠的半導(dǎo)體器件，年產(chǎn)量高達(dá)900億件。我們廣泛的產(chǎn)品系列符合汽車(chē)行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。Nexperia工廠生產(chǎn)的微型封裝業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，不僅具有較高的功率與熱效率，還提供同類(lèi)最佳的品質(zhì)。
五十多年來(lái)，Nexperia一直為全球各地的大型公司提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，并在亞洲、歐洲和美國(guó)擁有11,000名員工，公司擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了ISO 9001、IATF 16949、ISO 14001和OHSAS 18001認(rèn)證。

Nexperia：效率致勝。

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