Nexperia（原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部）今天宣布推出其功率MOSFET產(chǎn)品NextPower 100 V系列。該產(chǎn)品系列具備低反向恢復(fù)電荷(Q_rr)，且包括采用LFPAK56 (PowerSO8)封裝（結(jié)溫可達(dá)到175°C）的器件。

NextPower 100 V MOSFET是Nexperia針對(duì)高效開關(guān)和高可靠應(yīng)用的最新一代器件。其具備低50%的RDS(on)值和強(qiáng)大的雪崩能量指標(biāo)，因而是電源、電信和工業(yè)設(shè)計(jì)的理想選擇，尤其適合用于USB-PD、Type-C充電器和適配器及48 V DC-DC適配器。該器件具備低體二極管損耗，其QRR值低至50納庫倫(nC)，從而導(dǎo)致較低的反向恢復(fù)電流(IRR)，較低的電壓尖峰(Vpeak)及降低的振鈴紋波（有利于進(jìn)一步優(yōu)化死區(qū)時(shí)間）。

功率MOSFET產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker表示: “Q_rr值是常常被關(guān)注的參數(shù)，該參數(shù)對(duì)許多設(shè)計(jì)方面有重大影響。低的尖峰意味著EMI降低了，同時(shí)優(yōu)化的死區(qū)時(shí)間進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了效率增益。這也是我們?cè)贜experia所追求的。我們已經(jīng)展示了低Q_rr值對(duì)這兩項(xiàng)功能都是有益的。”

新型NextPower 100 V MOSFET有三種可用的封裝：TO220和I2PAK通孔封裝，及流行的LFPAK56封裝(SMT)。所有封裝的器件都具備175°C的Tj(max) ，且完全符合IPC9592擴(kuò)展溫度要求，因而NextPower 100 V MOSFET特別適合電信和計(jì)算應(yīng)用。

NextPower MOSFET器件現(xiàn)已上市

關(guān)于Nexperia

Nexperia（原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部）是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商，公司于2017年初開始獨(dú)立運(yùn)營。Nexperia注重效率，生產(chǎn)穩(wěn)定可靠的半導(dǎo)體器件，年產(chǎn)量高達(dá)850億件。我們廣泛的產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。Nexperia工廠生產(chǎn)的微型封裝業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，不僅具有較高的功率與熱效率，還提供同類最佳的品質(zhì)。

五十多年來，Nexperia一直為全球各地的大型公司提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，并在亞洲、歐洲和美國擁有11,000名員工，公司擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001和OHSAS18001認(rèn)證。

Nexperia：效率致勝。

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