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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

Nexperia再度蟬聯(lián)博世全球供應(yīng)商大獎(jiǎng)
  • 新聞稿
八月 05, 2021

Nexperia再度蟬聯(lián)博世全球供應(yīng)商大獎(jiǎng)

博世授予Nexperia“采購直接材料 - 移動(dòng)解決方案”名譽(yù)大獎(jiǎng),以此表彰Nexperia的精誠合作

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適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%,并將PCB占用空間減小80%
  • 新聞稿
八月 04, 2021

適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET ...

新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值,并改善均流,從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本

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Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝,為汽車和工業(yè)應(yīng)用提供高可靠性
  • 新聞稿
七月 29, 2021

Nexperia的新型雙極結(jié)晶體管采用DPAK封裝,為汽車和工業(yè)應(yīng)用提供高可靠性

MJD系列現(xiàn)已上市,涵蓋2 – 8 A和45 – 100 V,且增強(qiáng)了Nexperia的功率產(chǎn)品組合

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獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備制造商ITEC借助高生產(chǎn)率的芯片組裝系統(tǒng)緩解半導(dǎo)體短缺問題
  • 新聞稿
七月 06, 2021

獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)備制造商ITEC借助高生產(chǎn)率的芯片組裝系統(tǒng)緩解半導(dǎo)體短缺問題

最快速的組裝和電氣測試設(shè)備;利用大數(shù)據(jù)和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)的集成智能制造解決方案,實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的工業(yè)4.0生產(chǎn)

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Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán),正式更名為Nexperia Newport
  • 新聞稿
七月 05, 2021

Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán),正式更名為Nexperia ...

這家威爾士半導(dǎo)體工廠將繼續(xù)專注于MOSFET,IGBT,Analog,化合物半導(dǎo)體等車規(guī)級產(chǎn)品的生產(chǎn)

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Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標(biāo)準(zhǔn)邏輯DHXQFN封裝
  • 新聞稿
六月 30, 2021

Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標(biāo)準(zhǔn)邏輯DHXQFN封裝

新封裝將大量邏輯功能整合到小尺寸系統(tǒng)

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Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動(dòng),首批產(chǎn)品為行業(yè)領(lǐng)先的Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET
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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度
  • 新聞稿
五月 27, 2021

Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度

領(lǐng)先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性

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Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關(guān)應(yīng)用提高效率
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五月 04, 2021

Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關(guān)應(yīng)用提高效率

新器件已通過AEC-Q101認(rèn)證,支持高達(dá)100 V的電壓和20 A的電流,開關(guān)損耗低且安全工作區(qū)域增大

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Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行
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四月 27, 2021

Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

功率GaN解決方案可以減少器件數(shù)量、縮小外形尺寸并降低系統(tǒng)成本

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