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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車(chē)應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

CBTD3384DK

10-bit level shifting bus switch with 5-bit output enables

The CBTD3384 is a dual 5-pole, single-throw bus switch. The device features two output enable inputs (nOE) that each control five switch channels. The switches are disabled when the associated nOE input is HIGH. CBTD3384 is specifically designed for 5 V to 3.3 V level shifting applications. This device is fully specified for partial power down applications using IOFF.

此產(chǎn)品已停產(chǎn)

Features and benefits

  • Designed to be used in 5 V to 3.3 V level shifting applications with internal diode

  • 5 ? switch connection between two ports

  • Direct interface with TTL levels

  • IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation

  • Latch-up protection exceeds 100 mA per JESD78

  • ESD protection:

    • HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 class 2 exceeds 2000 V

    • CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 class C3 exceeds 1000 V

  • Specified from -40 °C to +85 °C

參數(shù)類(lèi)型

型號(hào) Package name
CBTD3384DK SSOP24

封裝

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào),(訂購(gòu)碼(12NC)) 狀態(tài) 標(biāo)示 封裝 外形圖 回流焊/波峰焊 包裝
CBTD3384DK CBTD3384DK,118
(935270732118)
Obsolete CBTD3384DK Standard Procedure Standard Procedure no package information

環(huán)境信息

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào) 化學(xué)成分 RoHS RHF指示符
CBTD3384DK CBTD3384DK,118 CBTD3384DK rohs rhf rhf
品質(zhì)及可靠性免責(zé)聲明

Series

文檔 (3)

文件名稱 標(biāo)題 類(lèi)型 日期
CBTD3384 10-bit level shifting bus switch with 5-bit output enables Data sheet 2024-06-04
AN90010 Pin FMEA for CBT(D) family Application note 2019-10-28
cbtd3384 cbtd3384 IBIS model IBIS model 2013-04-08

支持

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模型

文件名稱 標(biāo)題 類(lèi)型 日期
cbtd3384 cbtd3384 IBIS model IBIS model 2013-04-08

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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