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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

74HC00DB

Quad 2-input NAND gate

The 74HC00; 74HCT00 is a quad 2-input NAND gate. Inputs include clamp diodes. This enables the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of VCC.

此產(chǎn)品已停產(chǎn)

Features and benefits

  • Wide supply voltage range from 2.0 to 6.0 V

  • CMOS low power dissipation

  • High noise immunity

  • Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II Level B

  • Input levels:

    • For 74HC00: CMOS level

    • For 74HCT00: TTL level

  • Complies with JEDEC standards:

    • JESD8C (2.7 V to 3.6 V)

    • JESD7A (2.0 V to 6.0 V)

  • ESD protection:
    • HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 class 2 exceeds 2000 V

    • CDM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 class C3 exceeds 1000 V

  • Multiple package options

  • Specified from -40 °C to +85 °C and from -40 °C to +125 °C

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封裝

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào),(訂購(gòu)碼(12NC)) 狀態(tài) 標(biāo)示 封裝 外形圖 回流焊/波峰焊 包裝
74HC00DB 74HC00DB,112
(935174120112)
Obsolete no package information
74HC00DB,118
(935174120118)
Obsolete

環(huán)境信息

下表中的所有產(chǎn)品型號(hào)均已停產(chǎn) 。

型號(hào) 可訂購(gòu)的器件編號(hào) 化學(xué)成分 RoHS RHF指示符
74HC00DB 74HC00DB,112 74HC00DB rohs rhf rhf
74HC00DB 74HC00DB,118 74HC00DB rohs rhf rhf
品質(zhì)及可靠性免責(zé)聲明

文檔 (4)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
74HC_HCT00 Quad 2-input NAND gate Data sheet 2024-02-15
AN11044 Pin FMEA 74HC/74HCT family Application note 2019-01-09
hc HC/HCT Spice model SPICE model 2022-02-17
HCT_USER_GUIDE HC/T User Guide User manual 1997-10-31

支持

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模型

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
hc HC/HCT Spice model SPICE model 2022-02-17

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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